IPD60R600P6

Infineon Technologies

IPD60R600P6

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

AbgekündigtTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 2.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds557 pF @ 100 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
SerieCoolMOS™ P6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.3A (Tc)
Max. Verlustleistung63W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäusePG-TO252-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)