IPD60R3K3C6

Name: IPD60R3K3C6
Brand: Infineon Technologies

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3

ObsoletTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3Ohm @ 500mA, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	93 pF @ 100 V
Hersteller	Infineon Technologies
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Obsolet
Serie	448
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA

Drain-Source-Spannung	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.7A (Tc)
Max. Verlustleistung	18.1W (Tc)

Package / Case	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-Gehäuse	PG-TO252-3

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)