IPD60R1K5PFD7SAUMA1

Infineon Technologies

IPD60R1K5PFD7SAUMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 3.6A TO252

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 700mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds169 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™PFD7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 40µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Tc)
Max. Verlustleistung22W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäusePG-TO252-3-344

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)