IPD5N03LAG

Infineon Technologies

IPD5N03LAG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

AbgekündigtTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2653 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 35µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäusePG-TO252-3-11

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)