IPD35N12S3L24ATMA1

Infineon Technologies

IPD35N12S3L24ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2700 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 39µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
Max. Verlustleistung71W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäusePG-TO252-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)