IPC80N04S403ATMA1

Infineon Technologies

IPC80N04S403ATMA1

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 80A TDSON-8-23

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 40A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5720 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 60µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Max. Verlustleistung100W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-23

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)