IPC50N04S55R8ATMA1

Infineon Technologies

IPC50N04S55R8ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33

Abgekündigt8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1090 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.4V @ 13µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Max. Verlustleistung42W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)