IPC302N08N3X1SA1

Infineon Technologies

IPC302N08N3X1SA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL

AktivDieAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 10V
Basis-TeilenummerIPC302N
FET TypeN-Channel
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 270µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tj)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseSawn on foil