IPC218N04N3X7SA1

Infineon Technologies

IPC218N04N3X7SA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MV POWER MOS

AbgekündigtDieAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 2A, 10V
Basis-TeilenummerIPC218
FET TypeN-Channel
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieOptiMOS™ 3
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 200µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseDie