IPC022N03L3X1SA1

Infineon Technologies

IPC022N03L3X1SA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL

AbgekündigtDieAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 2A, 10V
Basis-TeilenummerIPC022N
FET TypeN-Channel
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tj)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseSawn on foil