IPC020N10L3X1SA1

Infineon Technologies

IPC020N10L3X1SA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

AktivDieAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
Basis-TeilenummerIPC020N
FET TypeN-Channel
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 12µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tj)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseSawn on foil