IPB95R450PFD7ATMA1

Name: IPB95R450PFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3

AktivTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 7.2A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1230 pF @ 400 V
Hersteller	Infineon Technologies
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	448
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 360µA

Drain-Source-Spannung	950 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13.3A (Tc)
Max. Verlustleistung	104W (Tc)

Package / Case	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-Gehäuse	PG-TO263-3-2

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)