IPB80N04S3-04

Name: IPB80N04S3-04
Brand: Infineon Technologies

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

AktivTO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AAAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1mOhm @ 80A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5200 pF @ 25 V
Hersteller	Infineon Technologies
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 90µA

Drain-Source-Spannung	40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Max. Verlustleistung	136W (Tc)

Betriebstemperatur	-55°C~175°C(TJ)