IPB65R125CFD7ATMA1

Infineon Technologies

IPB65R125CFD7ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

HIGH POWER_NEW

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 8.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1694 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™ CFD7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 420µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Tc)
Max. Verlustleistung98W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäusePG-TO263-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)