IPB65R110CFDAATMA1

Infineon Technologies

IPB65R110CFDAATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK

AktivTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 12.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3240 pF @ 100 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1.3mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31.2A (Tc)
Max. Verlustleistung277.8W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101