IPB60R199CPAATMA1

Infineon Technologies

IPB60R199CPAATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK

AbgekündigtTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs199mOhm @ 9.9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1520 pF @ 100 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 1.1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Max. Verlustleistung139W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101