IPB60R040C7ATMA1

Infineon Technologies

IPB60R040C7ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3

AktivTO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 24.9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4340 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™ C7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1.24mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Max. Verlustleistung227W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Hersteller-GehäusePG-TO263-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)