IPB50R199CP

Name: IPB50R199CP
Brand: Infineon Technologies

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 17A TO263-3-2

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	199mOhm @ 9.9A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 100 V
Hersteller	Infineon Technologies
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Serie	CoolMOS™
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 660µA

Drain-Source-Spannung	500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17A (Tc)
Max. Verlustleistung	139W (Tc)

Betriebstemperatur	-55°C~150°C(TJ)