IPB240N03S4LR8ATMA1

Infineon Technologies

IPB240N03S4LR8ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7

AktivTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.76mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds26000 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 230µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C240A (Tc)
Max. Verlustleistung300W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Hersteller-GehäusePG-TO263-7-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)