IPB180P04P403ATMA1

Infineon Technologies

IPB180P04P403ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

ObsoletTO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 100A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds17640 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 410µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
Max. Verlustleistung150W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101