IPB180N08S402ATMA1

Infineon Technologies

IPB180N08S402ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

AbgekündigtTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11550 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 220µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
Max. Verlustleistung277W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101