IPB180N06S4H1ATMA2

Infineon Technologies

IPB180N06S4H1ATMA2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

AktivTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds21900 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 200µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
Max. Verlustleistung250W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Hersteller-GehäusePG-TO263-7

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)