IPB160N04S2L03ATMA2

Infineon Technologies

IPB160N04S2L03ATMA2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

AbgekündigtTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6000 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C160A (Tc)
Max. Verlustleistung300W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Hersteller-GehäusePG-TO263-7-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)