IPB14N03LAT

Infineon Technologies

IPB14N03LAT

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3

AbgekündigtTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs13.6mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1043 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 20µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Max. Verlustleistung46W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäusePG-TO263-3-2

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)