IPB085N06L G

Name: IPB085N06L G
Brand: Infineon Technologies

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

ObsoletTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2mOhm @ 80A, 10V
Basis-Teilenummer	IPB085N
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3500 pF @ 30 V
Hersteller	Infineon Technologies
Montageart	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 125µA

Drain-Source-Spannung	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)