IPB040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

IPB040N08NF2SATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3

AktivTape & Reel (TR); Cut Tape (CT)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 80A, 10V
Basis-TeilenummerIPB040N
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3800 pF @ 40 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieStrongIRFET™ 2
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 85µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C107A (Tc)
Max. Verlustleistung150W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)