IPB024N10N5ATMA1

Infineon Technologies

IPB024N10N5ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

AktivTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 90A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10200 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 183µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
Max. Verlustleistung250W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Hersteller-GehäusePG-TO263-7

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)