IPA95R450PFD7XKSA1

Infineon Technologies

IPA95R450PFD7XKSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3

AktivTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 7.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1230 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 360µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung950 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.2A (Tc)
Max. Verlustleistung30W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäusePG-TO220-3-313

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)