IPA80R310CEXKSA1

Infineon Technologies

IPA80R310CEXKSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 800V 6.8A TO220

AbgekündigtTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs310mOhm @ 11A, 10V
Basis-TeilenummerIPA80R
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2320 pF @ 100 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusDiscontinued at
SerieCoolMOS™ CE
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Tc)
Max. Verlustleistung35W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäusePG-TO220-FP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)