IPA60R170CFD7XKSA1

Infineon Technologies

IPA60R170CFD7XKSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 8A TO220

AktivTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1199 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieCoolMOS™ CFD7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 300µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Max. Verlustleistung26W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäusePG-TO220-FP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)