IPA50R190CE

Infineon Technologies

IPA50R190CE

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-FP

ObsoletTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 6.2A, 13V
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1137 pF @ 100 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 510µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18.5A (Tc)
Max. Verlustleistung32W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäusePG-TO220-FP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)