IMT65R022M1HXUMA1

Infineon Technologies

IMT65R022M1HXUMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SILICON CARBIDE MOSFET

Aktiv8-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
Serie448
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V

Mechanisch

Package / Case8-PowerSFN
Hersteller-GehäusePG-HSOF-8-2