IMBG120R060M1HXTMA1

Infineon Technologies

IMBG120R060M1HXTMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263

AktivTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs83mOhm @ 13A, 18V
Basis-TeilenummerIMBG120
FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1145 pF @ 800 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolSiC™
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+18V, -15V
Vgs(th) (Max) @ Id5.7V @ 5.6mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Tc)
Max. Verlustleistung181W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Hersteller-GehäusePG-TO263-7-12

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)