Anfrage senden
Startseite/Produkte/Diskrete Halbleiterprodukte/Transistors - IGBTs - Single/IKW25T120
IKW25T120

Infineon Technologies

IKW25T120

Analog & Leistungselektronik

IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge155 nC
IGBT TypeNPT, Trench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)200 ns
SerieTrenchStop®
Switching Energy2mJ (on), 2.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C50ns/560ns
Test Condition600V, 25A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 25A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)75 A
Power - Max190 W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäusePG-TO247-3-21

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)

Ähnliche Komponenten

Ähnliche Komponenten aus der IKW25T120-Familie, vom Hersteller oder aus der Produktkategorie.

Prüfung erforderlich

Für dieses Teil sind noch keine verwandten Komponenten verfügbar.