IKB30N65ES5ATMA1

Infineon Technologies

IKB30N65ES5ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH/FS 650V 62A D2PAK

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge70 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)75 ns
SerieTrenchStop™ 5
Switching Energy560µJ (on), 320µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C17ns/124ns
Test Condition400V, 30A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 30A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)62 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max188 W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäusePG-TO263-3

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)