Allgemein
| Resistance - RDS(On) | 70 mOhms |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 19.5V (VGS) |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Serie | CoolSiC™ |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 1200 V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 3.3 µA @ 1200 V |
| Current Drain (Id) - Max | 35 A |
| Power - Max | 238 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Hersteller-Gehäuse | PG-TO247-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|