IGT60R070D1ATMA4

Infineon Technologies

IGT60R070D1ATMA4

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

GANFET N-CH

Aktiv8-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds380 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolGaN™
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)-10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 2.6mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Tc)
Max. Verlustleistung125W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
Hersteller-GehäusePG-HSOF-8-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)