IGLR60R190D1XUMA1

Infineon Technologies

IGLR60R190D1XUMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

GAN HV

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds157 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolGaN™
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)-10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 960µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.8A (Tc)
Max. Verlustleistung55.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TSON-8-6

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)