Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 157 pF @ 400 V |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Serie | CoolGaN™ |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 960µA |
| Drain-Source-Spannung | 600 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 62.5W (Tc) |
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-LDFN Exposed Pad |
| Hersteller-Gehäuse | PG-LSON-8-1 |
| Betriebstemperatur | -55°C~150°C(TJ) |
|---|