IGLD60R190D1AUMA1

Infineon Technologies

IGLD60R190D1AUMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8

Obsolet8-LDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerIGLD60
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds157 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieCoolGaN™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 960µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Max. Verlustleistung62.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-LDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäusePG-LSON-8-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)