IGLD60R070D1AUMA3

Infineon Technologies

IGLD60R070D1AUMA3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

GANFET N-CH

Aktiv8-LDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds380 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolGaN™
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)-10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 2.6mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
Max. Verlustleistung114W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-LDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäusePG-LSON-8-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)