Allgemein
| Basis-Teilenummer | IDH02G120 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 182pF @ 1V, 1MHz |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 2 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 18 µA @ 1200 V |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 |
| Hersteller-Gehäuse | PG-TO220-2-1 |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
|---|