IDC51D120T6MX1SA3

Infineon Technologies

IDC51D120T6MX1SA3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GP 1.2KV 100A WAFER

AktivDieAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerIDC51D120
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.05 V @ 100 A
Current - Average Rectified (Io)100A
Current - Reverse Leakage @ Vr18 µA @ 1200 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseSawn on foil

Umwelt

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 175°C