IAUZ40N10S5N130ATMA1

Infineon Technologies

IAUZ40N10S5N130ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1525 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 27µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Max. Verlustleistung68W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TSDSON-8-33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)