IAUZ40N06S5N050ATMA1

Infineon Technologies

IAUZ40N06S5N050ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 20A, 10V
Basis-TeilenummerIAUZ40
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 30 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™-5
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.4V @ 29µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tj)
Max. Verlustleistung71W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TSDSON-8-33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)