IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

IAUC50N08S5N102ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.2mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1394 pF @ 40 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 24µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tj)
Max. Verlustleistung60W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)