IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N06S5N032ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET_)40V 60V)

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.23mOhm @ 60A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3446 pF @ 30 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™-5
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.4V @ 44µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tj)
Max. Verlustleistung94W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-34

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)