IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N06S5N017ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 60A, 10V
Basis-TeilenummerIAUC120
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6952 pF @ 30 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.4V @ 94µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tj)
Max. Verlustleistung167W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-43

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)