IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N06S5L032ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 60A, 10V
Basis-TeilenummerIAUC120
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3823 pF @ 30 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 44µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tj)
Max. Verlustleistung94W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-34

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)