IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

IAUA250N04S6N005AUMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

OPTIMOS POWER MOSFET

Aktiv5-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.55mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11144 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™ 6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 145µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C62A (Ta)
Max. Verlustleistung250W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case5-PowerSFN
Hersteller-GehäusePG-HSOF-5-5

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)